NỘI DUNG

Kế hoạch nâng cấp dây chuyền NAND Flash thế hệ mới tại Tây An và Đại Liên

Trước sự cạnh tranh quyết liệt từ các doanh nghiệp Trung Quốc và cơn khát chip phục vụ trung tâm dữ liệu AI, Samsung Electronics và SK Hynix đã quyết định nâng cấp dây chuyền sản xuất chip nhớ tại Trung Quốc lên chuẩn công nghệ cao hơn. Nhà máy Tây An của Samsung – nơi chiếm tới 40% tổng sản lượng chip nhớ NAND toàn cầu của tập đoàn – đang vận hành dự án nội bộ mang tên 'Monami' nhằm chuyển đổi cơ sở sang sản xuất chip V9 NAND 286 lớp, với mục tiêu đạt sản lượng 5.000 tấm wafer/tháng vào tháng 12 năm nay và nâng lên 40.000 tấm wafer/tháng vào cuối năm 2027.

Cùng thời điểm, SK Hynix đang xúc tiến chuyển đổi nhà máy tại Đại Liên từ quy trình sản xuất 192 lớp hiện tại sang các sản phẩm NAND Flash từ 240 lớp trở lên. Đây là cơ sở duy nhất sản xuất chip nhớ thuộc công ty con Solidigm mà SK Hynix mua lại từ Intel năm 2021. Doanh nghiệp này cũng đang cân nhắc xin phép chính phủ Mỹ cho phép tiến hành hoạt động nghiên cứu và phát triển (R&D) các dòng chip trên 300 lớp ngay tại Đại Liên nhằm tạo tiền đề cho việc xây dựng nhà máy sản xuất mới tại Mỹ theo thỏa thuận với chính quyền Tổng thống Donald Trump.

Việc nâng cấp nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng từ các khách hàng toàn cầu, bao gồm cả các khách hàng tại Mỹ, và hoàn toàn tuân thủ các quy định xuất khẩu hiện hành.